D2J015DA2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 615*675 | mm |
| 频段 | DC-8 | GHz |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 15 | W |
| 效率 | 70 | % |
| 增益 | 19.8 | dB |
1.效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 40 mA, 频率 = 6 GHz
D2J055DA2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 632*1515 | mm |
| 频段 | DC-8 | GHz |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 55 | W |
| 效率 | 68 | % |
| 增益 | 19.4 | dB |
1.效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 150 mA, 频率 = 6 GHz
D2J070DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 655*2725 | mm |
| 频段 | DC-8 | GHz |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 70 | W |
| 效率 | 67 | % |
| 增益 | 20.5 | dB |
1.效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 230 mA, 频率 = 6 GHz
D2J080DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 725*2985 | mm |
| 频段 | DC-8 | GHz |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 80 | W |
| 效率 | 66 | % |
| 增益 | 20.6 | dB |
1.效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 260 mA, 频率 = 6 GHz
D2J090DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 790*2835 | mm |
| 频段 | DC-8 | GHz |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 90 | W |
| 效率 | 66 | % |
| 增益 | 18.9 | dB |
1.效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 310 mA, 频率 = 6 GHz
D2J140DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 850*3770 | mm |
| 频段 | DC-8 | GHz |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 140 | W |
| 效率 | 64 | % |
| 增益 | 18.4 | dB |
1.效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 500 mA, 频率 = 6 GHz
D2J0160DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 800*4390 | mm |
| 频段 | DC-8 | GHz |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 160 | W |
| 效率 | 63 | % |
| 增益 | 19.6 | dB |
1.效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 570 mA, 频率 = 6 GHz
D2J185DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 920*4250 | mm |
| 频段 | DC-8 | GHz |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 185 | W |
| 效率 | 63 | % |
| 增益 | 18.1 | dB |
1.效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 700 mA, 频率 = 6 GHz
D2J325DB2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 945*6075 | mm |
| 频段 | DC-8 | GHz |
| 应用电压 | 48 | V |
| 典型功率 | 325 | W |
| 效率 | 61 | % |
| 增益 | 17.3 | dB |
1.效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1270 mA, 频率 = 6 GHz
D3P012DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 600*670 | mm |
| 频段 | DC-12 | GHz |
| 应用电压 | 28 | V |
| 典型功率 | 12 | W |
| 效率 | 73 | % |
| 增益 | 17 | dB |
1.效率、增益标识为对应 28V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 60 mA, 频率 = 6 GHz
D2P036DG2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 600*2200 | mm |
| 频段 | DC-12 | GHz |
| 应用电压 | 28 | V |
| 典型功率 | 36 | W |
| 效率 | 70 | % |
| 增益 | 16.0 | dB |
1.效率、增益标识为对应 28V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 200 mA, 频率 = 6 GHz
D2P045DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 650*3800 | mm |
| 频段 | DC-12 | GHz |
| 应用电压 | 28 | V |
| 典型功率 | 45 | W |
| 效率 | 70 | % |
| 增益 | 16.0 | dB |
1.效率、增益标识为对应 28V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 250 mA, 频率 = 6 GHz
D2P055DG2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 600*2700 | mm |
| 频段 | DC-12 | GHz |
| 应用电压 | 28 | V |
| 典型功率 | 55 | W |
| 效率 | 69 | % |
| 增益 | 15.5 | dB |
1.效率、增益标识为对应 28V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 320 mA, 频率 = 6 GHz
D2P055DG2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 600*2700 | mm |
| 频段 | DC-12 | GHz |
| 应用电压 | 28 | V |
| 典型功率 | 65 | W |
| 效率 | 69 | % |
| 增益 | 15.5 | dB |
1.效率、增益标识为对应 28V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 380 mA, 频率 = 6 GHz
D2P075DG2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 770*3400 | mm |
| 频段 | DC-12 | GHz |
| 应用电压 | 28 | V |
| 典型功率 | 75 | W |
| 效率 | 67 | % |
| 增益 | 13.7 | dB |
1.效率、增益标识为对应 28V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 460 mA, 频率 = 6 GHz
D2P090DG2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 880*4200 | mm |
| 频段 | DC-12 | GHz |
| 应用电压 | 28 | V |
| 典型功率 | 90 | W |
| 效率 | 66 | % |
| 增益 | 13.5 | dB |
1.效率、增益标识为对应 28V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 550 mA, 频率 = 6 GHz
D4R015DG1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 460*1165 | mm |
| 频段 | DC-18 | GHz |
| 应用电压 | 28 | V |
| 典型功率 | 15 | W |
| 效率 | 73 | % |
| 增益 | 18.0 | dB |
1.效率、增益标识为对应 28V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 72 mA, 频率 = 6 GHz
D4R040DG1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 570*2200 | mm |
| 频段 | DC-18 | GHz |
| 应用电压 | 28 | V |
| 典型功率 | 40 | W |
| 效率 | 72 | % |
| 增益 | 17.5 | dB |
1.效率、增益标识为对应 28V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 200 mA, 频率 = 6 GHz
D4R060DG1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 600*2750 | mm |
| 频段 | DC-18 | GHz |
| 应用电压 | 28 | V |
| 典型功率 | 60 | W |
| 效率 | 70 | % |
| 增益 | 16.5 | dB |
1.效率、增益标识为对应 28V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 290 mA, 频率 = 6 GHz
D4R090DG1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 780*3400 | mm |
| 频段 | DC-18 | GHz |
| 应用电压 | 28 | V |
| 典型功率 | 90 | W |
| 效率 | 69 | % |
| 增益 | 15.5 | dB |
1.效率、增益标识为对应 28V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 460 mA, 频率 = 6 GHz
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