D4R040DG1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
1.效率、增益标识为对应 28V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 200 mA, 频率 = 6 GHz
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