D2J325DB2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 945*6075 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 325 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 61 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 17.3 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 180 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 45 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 9.8 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 10 GHz
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