氮化镓是半导体与微电子产业的新星,其高电子能量的特性使其拥有极高的电能转换效率和优秀的高频特性。业界已经公认氮化镓(GaN)半导体器件产品将统治微波放大和电能转换领域,市场规模大于150亿美元。

 

氮化镓应用在微波领域的优势:
更高效率:降低功耗,节省电能,降低散热成本,降低总运行成本。
更大的宽带:提高信息携带量,用更少的器件实现多频率覆盖,降低客户产品成本。也适用于扩频通信、电子对抗等领域。
更高的功率:在4GHz以上频段,可以输出比砷化镓高得多的频率,特别适合雷达、卫星通信、中继通信等领域。

 

氮化镓应用在电力电子领域的优势:
高转换效率:氮化镓的禁带宽度是硅的3倍,击穿电场是硅的10倍。因此,同样额定电压的氮化镓开关功率器件的导通电阻比硅器件低3个数量级,大大降低了开关的导通损耗。

高工作频率:氮化镓开关器件寄生电容小,工作效率可以比硅器件提升至少20倍,大大减小了电路中储能原件如电容、电感的体积,从而成倍地减小设
备体积,减少铜等贵重原材料的消耗。

高使用环境温度:氮化镓的禁带宽度高达3.4eV,本征电子浓度极低,电子很难被激发,因此氮化镓器件理论上可以工作在800摄氏度以上的残酷环境,降低系统使用周期成本。

 

 


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